2N6758TX - RENESAS TECHNOLOGY CORP
- 型号：
- 2N6758TX
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 4页 / 110K
- 产品描述：
- 9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
- 参数详情
- 生命周期
- Obsolete
- 包装说明
- FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.09
- 其他特性
- RADIATION HARDENED
- 外壳连接
- DRAIN
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 200 V
- 最大漏极电流 (ID)
- 9 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.4 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JEDEC-95代码
- TO-204AA
- JESD-30 代码
- O-MBFM-P2
- JESD-609代码
- e0
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 2
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 封装主体材料
- METAL
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- FLANGE MOUNT
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大脉冲漏极电流 (IDM)
- 15 A
- 认证状态
- Not Qualified
- 参考标准
- MILITARY STANDARD (USA)
- 表面贴装
- NO
- 端子面层
- TIN LEAD
- 端子形式
- PIN/PEG
- 端子位置
- BOTTOM
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
