2N6756 - Infineon
- 型号：
- 2N6756
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- INFINEON [ Infineon ]
- 文档大小：
- 7页 / 147K
- 产品描述：
- Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA,
- 参数详情
- 是否无铅
- 含铅
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Active
- Reach Compliance Code
- unknown
- 风险等级
- 5.09
- 其他特性
- RADIATION HARDENED
- 外壳连接
- DRAIN
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 100 V
- 最大漏极电流 (ID)
- 14 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.18 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JEDEC-95代码
- TO-204AA
- JESD-30 代码
- O-MBFM-P2
- JESD-609代码
- e0
- 湿度敏感等级
- NOT SPECIFIED
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 2
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 封装主体材料
- METAL
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- FLANGE MOUNT
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大脉冲漏极电流 (IDM)
- 30 A
- 认证状态
- COMMERCIAL
- 表面贴装
- NO
- 端子面层
- TIN LEAD
- 端子形式
- PIN/PEG
- 端子位置
- BOTTOM
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
