2N6452 - INTERFET CORPORATION
- 型号：
- 2N6452
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 1页 / 96K
- 产品描述：
- N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- Reach Compliance Code
- not_compliant
- HTS代码
- 8541.21.00.95
- 风险等级
- 5.36
- Is Samacsys
- N
- 其他特性
- LOW NOISE
- 外壳连接
- ISOLATED
- 配置
- SINGLE
- FET 技术
- JUNCTION
- 最大反馈电容 (Crss)
- 5 pF
- JEDEC-95代码
- TO-72
- JESD-30 代码
- O-MBCY-W4
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 4
- 工作模式
- DEPLETION MODE
- 最高工作温度
- 200 °C
- 封装主体材料
- METAL
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- CYLINDRICAL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 0.36 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Other Transistors
- 表面贴装
- NO
- 端子形式
- WIRE
- 端子位置
- BOTTOM
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- AMPLIFIER
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
