2N6427 - SAMSUNG
- 型号：
- 2N6427
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- SAMSUNG [ SAMSUNG ]
- 文档大小：
- 2页 / 72K
- 产品描述：
- NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
- 参数详情
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- ALLEGRO MICROSYSTEMS LLC
- 包装说明
- CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.63
- 最大集电极电流 (IC)
- 0.5 A
- 基于收集器的最大容量
- 7 pF
- 集电极-发射极最大电压
- 40 V
- 配置
- DARLINGTON
- 最小直流电流增益 (hFE)
- 10000
- JEDEC-95代码
- TO-92
- JESD-30 代码
- O-PBCY-T3
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- CYLINDRICAL
- 极性/信道类型
- NPN
- 认证状态
- Not Qualified
- 表面贴装
- NO
- 端子形式
- THROUGH-HOLE
- 端子位置
- BOTTOM
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 标称过渡频率 (fT)
- 130 MHz
- VCEsat-Max
- 1.2 V
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