2N6212 - Microsemi
- 型号：
- 2N6212
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- MICROSEMI [ Microsemi ]
- 文档大小：
- 2页 / 54K
- 产品描述：
- PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- Reach Compliance Code
- not_compliant
- 风险等级
- 5.88
- 最大集电极电流 (IC)
- 2 A
- 基于收集器的最大容量
- 220 pF
- 集电极-发射极最大电压
- 300 V
- 配置
- SINGLE
- 最小直流电流增益 (hFE)
- 10
- 最大降落时间（tf）
- 600 ns
- JEDEC-95代码
- TO-66
- JESD-30 代码
- O-MBFM-P2
- JESD-609代码
- e0
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 2
- 最高工作温度
- 200 °C
- 最低工作温度
- -65 °C
- 封装主体材料
- METAL
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- FLANGE MOUNT
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- PNP
- 最大功率耗散 (Abs)
- 35 W
- 最大上升时间（tr）
- 600 ns
- 表面贴装
- NO
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- PIN/PEG
- 端子位置
- BOTTOM
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 标称过渡频率 (fT)
- 20 MHz
- 最大关闭时间（toff）
- 3100 ns
- VCEsat-Max
- 1.6 V
