2N60KL-TNS-T - Unisonic Technologies
- 型号：
- 2N60KL-TNS-T
- 品牌Logo:
-
- 应用标签：
- 文档大小：
- 6页 / 240K
- 产品描述：
- Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, TO-251S, 3 PIN
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Active
- 包装说明
- TO-252D, 3/2 PIN
- Reach Compliance Code
- compliant
- 风险等级
- 5.56
- 雪崩能效等级（Eas）
- 140 mJ
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 600 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 2 A
- 最大漏极电流 (ID)
- 2 A
- 最大漏源导通电阻
- 5 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大反馈电容 (Crss)
- 13 pF
- JEDEC-95代码
- TO-252
- JESD-30 代码
- R-PSSO-G2
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 2
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 最低工作温度
- -55 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 44 W
- 最大脉冲漏极电流 (IDM)
- 8 A
- 表面贴装
- YES
- 端子形式
- GULL WING
- 端子位置
- SINGLE
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 最大关闭时间（toff）
- 180 ns
- 最大开启时间（吨）
- 115 ns
- Base Number Matches
- 1
