2N6093 - ADVANCED SEMICONDUCTOR
- 型号：
- 2N6093
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 1页 / 27K
- 产品描述：
- NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
- 参数详情
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- ASI SEMICONDUCTOR INC
- 零件包装代码
- TO-217
- 包装说明
- POST/STUD MOUNT, X-XUPM-P4
- 针数
- 4
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.65
- Is Samacsys
- N
- 其他特性
- WITH EMITTER BALLASTING RESISTOR
- 最大集电极电流 (IC)
- 10 A
- 基于收集器的最大容量
- 250 pF
- 集电极-发射极最大电压
- 35 V
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小直流电流增益 (hFE)
- 20
- 最高频带
- VERY HIGH FREQUENCY BAND
- JEDEC-95代码
- TO-217
- JESD-30 代码
- X-XUPM-P4
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 4
- 最高工作温度
- 200 °C
- 封装主体材料
- UNSPECIFIED
- 封装形状
- UNSPECIFIED
- 封装形式
- POST/STUD MOUNT
- 极性/信道类型
- NPN
- 最大功率耗散 (Abs)
- 83 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Other Transistors
- 表面贴装
- NO
- 端子形式
- PIN/PEG
- 端子位置
- UPPER
- 晶体管应用
- AMPLIFIER
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 标称过渡频率 (fT)
- 100 MHz
- Base Number Matches
- 1
