2N6045-6263 - RENESAS TECHNOLOGY CORP
- 型号：
- 2N6045-6263
- 品牌Logo:
-
- 应用标签：
- 文档大小：
- 4页 / 121K
- 产品描述：
- 8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
- 参数详情
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- HARRIS SEMICONDUCTOR
- 包装说明
- FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.66
- Is Samacsys
- N
- 外壳连接
- COLLECTOR
- 最大集电极电流 (IC)
- 8 A
- 基于收集器的最大容量
- 200 pF
- 集电极-发射极最大电压
- 100 V
- 配置
- DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- 最小直流电流增益 (hFE)
- 100
- JEDEC-95代码
- TO-220AB
- JESD-30 代码
- R-PSFM-T3
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 最高工作温度
- 150 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- FLANGE MOUNT
- 极性/信道类型
- NPN
- 功耗环境最大值
- 75 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 表面贴装
- NO
- 端子形式
- THROUGH-HOLE
- 端子位置
- SINGLE
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- VCEsat-Max
- 4 V
- Base Number Matches
- 1
