2N5956 - NEW JERSEY SEMI-CONDUCTOR PRODUCTS, INC.
- 型号：
- 2N5956
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 3页 / 299K
- 产品描述：
- Silicon N-P-N and P-N-P Medium-Power Transistors
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Active
- Reach Compliance Code
- not_compliant
- 风险等级
- 5.74
- 外壳连接
- COLLECTOR
- 最大集电极电流 (IC)
- 6 A
- 集电极-发射极最大电压
- 40 V
- 配置
- SINGLE
- 最小直流电流增益 (hFE)
- 5
- JEDEC-95代码
- TO-66
- JESD-30 代码
- O-MBFM-P2
- JESD-609代码
- e0
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 2
- 最高工作温度
- 200 °C
- 最低工作温度
- -65 °C
- 封装主体材料
- METAL
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- FLANGE MOUNT
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- PNP
- 最大功率耗散 (Abs)
- 40 W
- 表面贴装
- NO
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- PIN/PEG
- 端子位置
- BOTTOM
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 标称过渡频率 (fT)
- 5 MHz
- VCEsat-Max
- 2 V
- Base Number Matches
- 1
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2N5956LEADFREE
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-2
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