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2N5738

更新时间： 2024-02-22 13:32:57

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3页	112K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N5738 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
Base Number Matches：	1

2N5738 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N5737 2N5738

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For general–purpose switching

and power amplifier applications.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-60

UNIT

2N5737

2N5738

2N5737

2N5738

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

-100

-60

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-100

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

-10

Collector current-peak

Base current

-20

-4

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=100ꢀ

150

-65~200

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.17

ꢀ/W

12 3

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与2N5738相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5738E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	获取价格
2N5739	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,	获取价格
2N5739	SAVANTIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2N5739	ISC	isc Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2N5739E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,	获取价格
2N574	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 55V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| STR-1/4	获取价格