2N5657G - ONSEMI
- 型号：
- 2N5657G
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- ONSEMI [ ONSEMI ]
- 文档大小：
- 5页 / 80K
- 产品描述：
- Plastic NPN Silicon High−Voltage Power Transistor
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- 包装说明
- FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Reach Compliance Code
- not_compliant
- 风险等级
- 5.77
- 最大集电极电流 (IC)
- 0.5 A
- 基于收集器的最大容量
- 25 pF
- 集电极-发射极最大电压
- 350 V
- 配置
- SINGLE
- 最小直流电流增益 (hFE)
- 5
- JEDEC-95代码
- TO-126
- JESD-30 代码
- R-PSFM-T3
- JESD-609代码
- e0
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 最高工作温度
- 150 °C
- 最低工作温度
- -65 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- FLANGE MOUNT
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- NPN
- 最大功率耗散 (Abs)
- 20 W
- 表面贴装
- NO
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- THROUGH-HOLE
- 端子位置
- SINGLE
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 标称过渡频率 (fT)
- 10 MHz
- VCEsat-Max
- 10 V
- Base Number Matches
- 1
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2N5657LEADFREE
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,
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