2N5631/D
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2N5631/D - ONSEMI
型号:
2N5631/D
品牌Logo:
品牌名称:
ONSEMI [ ONSEMI ]
应用标签:
晶体晶体管高压
文档大小:
8页 / 122K
产品描述:
High-Voltage High-Power Transistors
  • 参数详情
是否Rohs认证
符合
生命周期
Obsolete
IHS 制造商
ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码
TO-3
包装说明
CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
针数
2
制造商包装代码
CASE 1-07
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
风险等级
5.49
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
16 A
集电极-发射极最大电压
140 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
4
JEDEC-95代码
TO-204AA
JESD-30 代码
O-MBFM-P2
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
200 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
200 W
认证状态
Not Qualified
子类别
Other Transistors
表面贴装
NO
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
PIN/PEG
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
40
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
1 MHz
Base Number Matches
1

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