2N5629 - NEW JERSEY SEMI-CONDUCTOR PRODUCTS, INC.
- 型号：
- 2N5629
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 2页 / 255K
- 产品描述：
- POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
- 参数详情
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- ASI SEMICONDUCTOR INC
- 包装说明
- ,
- Reach Compliance Code
- unknown
- 风险等级
- 5.58
- Is Samacsys
- N
- 最大集电极电流 (IC)
- 16 A
- 配置
- Single
- 最小直流电流增益 (hFE)
- 25
- 最高工作温度
- 200 °C
- 极性/信道类型
- NPN
- 最大功率耗散 (Abs)
- 200 W
- 子类别
- Other Transistors
- 表面贴装
- NO
- 标称过渡频率 (fT)
- 1 MHz
- Base Number Matches
- 1
