2N5384 - NEW JERSEY SEMI-CONDUCTOR PRODUCTS, INC.
- 型号：
- 2N5384
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 2页 / 210K
- 产品描述：
- P-N-P EPITAXIAL PLANAR SILICON POWER TRANSISTORS
- 参数详情
- 生命周期
- Obsolete
- 包装说明
- TO-111
- Reach Compliance Code
- unknown
- 风险等级
- 5.45
- 最大集电极电流 (IC)
- 5 A
- 集电极-发射极最大电压
- 80 V
- 配置
- Single
- 最小直流电流增益 (hFE)
- 20
- JEDEC-95代码
- TO-111
- JESD-30 代码
- O-MUPM-X
- 最高工作温度
- 175 °C
- 封装主体材料
- METAL
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- POST/STUD MOUNT
- 极性/信道类型
- PNP
- 最大功率耗散 (Abs)
- 2 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Other Transistors
- 表面贴装
- NO
- 端子形式
- UNSPECIFIED
- 端子位置
- UPPER
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 标称过渡频率 (fT)
- 30 MHz
- Base Number Matches
- 1
