2N3903 - SAMSUNG
- 型号：
- 2N3903
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- SAMSUNG [ SAMSUNG ]
- 文档大小：
- 1页 / 39K
- 产品描述：
- npn epitaxial silicon transistor
- 参数详情
- 是否无铅
- 含铅
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- Reach Compliance Code
- not_compliant
- 风险等级
- 5.68
- Is Samacsys
- N
- 基于收集器的最大容量
- 4 pF
- 集电极-发射极最大电压
- 40 V
- 配置
- SINGLE
- 最小直流电流增益 (hFE)
- 50
- JEDEC-95代码
- TO-92
- JESD-30 代码
- O-PBCY-T3
- JESD-609代码
- e0
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- CYLINDRICAL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- NPN
- 认证状态
- Not Qualified
- 表面贴装
- NO
- 端子面层
- TIN LEAD
- 端子形式
- THROUGH-HOLE
- 端子位置
- BOTTOM
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 标称过渡频率 (fT)
- 250 MHz
- 最大关闭时间（toff）
- 225 ns
- VCEsat-Max
- 0.3 V
- Base Number Matches
- 1
