2N3576 - National Semiconductor
- 型号：
- 2N3576
- 品牌Logo:
-
- 应用标签：
- 文档大小：
- 1页 / 38K
- 产品描述：
- TRANSISTOR,BJT,PNP,15V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-18
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- 包装说明
- CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Reach Compliance Code
- not_compliant
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8541.21.00.75
- 风险等级
- 5.9
- 外壳连接
- COLLECTOR
- 最大集电极电流 (IC)
- 0.2 A
- 集电极-发射极最大电压
- 15 V
- 配置
- SINGLE
- 最小直流电流增益 (hFE)
- 40
- JEDEC-95代码
- TO-18
- JESD-30 代码
- O-MBCY-W3
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 最高工作温度
- 175 °C
- 封装主体材料
- METAL
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- CYLINDRICAL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- PNP
- 最大功率耗散 (Abs)
- 0.36 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Other Transistors
- 表面贴装
- NO
- 端子形式
- WIRE
- 端子位置
- BOTTOM
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 标称过渡频率 (fT)
- 400 MHz
- 最大关闭时间（toff）
- 50 ns
- 最大开启时间（吨）
- 30 ns
