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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-59 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.45 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-59 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N2877E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 |
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| 2N2878 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 |
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| 2N2878 | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin TO-63 |
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| 2N2878 | VISHAY | NPN SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS |
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| 2N2878E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 |
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| 2N2879 | VISHAY | NPN SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS |
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