2N2855-2 - ETC
- 型号：
- 2N2855-2
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- ETC [ ETC ]
- 文档大小：
- 2页 / 215K
- 产品描述：
- TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-111
- 参数详情
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- API TECHNOLOGIES CORP
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.44
- 外壳连接
- COLLECTOR
- 最大集电极电流 (IC)
- 5 A
- 集电极-发射极最大电压
- 40 V
- 配置
- SINGLE
- 最小直流电流增益 (hFE)
- 40
- JEDEC-95代码
- TO-111
- JESD-30 代码
- O-MUPM-D3
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 最高工作温度
- 175 °C
- 封装主体材料
- METAL
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- POST/STUD MOUNT
- 极性/信道类型
- NPN
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Other Transistors
- 表面贴装
- NO
- 端子形式
- SOLDER LUG
- 端子位置
- UPPER
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 标称过渡频率 (fT)
- 60 MHz
- VCEsat-Max
- 0.4 V
