2N2605UB - Microsemi
- 型号：
- 2N2605UB
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- MICROSEMI [ Microsemi ]
- 文档大小：
- 4页 / 153K
- 产品描述：
- PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR
- 参数详情
- 是否无铅
- 含铅
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- MICROSEMI CORP
- 包装说明
- SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
- 针数
- 3
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8541.21.00.95
- 风险等级
- 5.4
- Is Samacsys
- N
- 最大集电极电流 (IC)
- 0.03 A
- 集电极-发射极最大电压
- 60 V
- 配置
- SINGLE
- 最小直流电流增益 (hFE)
- 100
- JESD-30 代码
- R-CDSO-N3
- JESD-609代码
- e0
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 最高工作温度
- 200 °C
- 封装主体材料
- CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- PNP
- 最大功率耗散 (Abs)
- 0.4 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Other Transistors
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- TIN LEAD
- 端子形式
- NO LEAD
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
