2N2150 - NEW JERSEY SEMI-CONDUCTOR PRODUCTS, INC.
- 型号：
- 2N2150
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 1页 / 124K
- 产品描述：
- NPN SWITCHING TRANSISTORS
- 参数详情
- 是否无铅
- 含铅
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Active
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.43
- 外壳连接
- COLLECTOR
- 最大集电极电流 (IC)
- 2 A
- 集电极-发射极最大电压
- 80 V
- 配置
- SINGLE
- 最小直流电流增益 (hFE)
- 20
- JEDEC-95代码
- TO-111
- JESD-30 代码
- O-MUPM-D3
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 最高工作温度
- 175 °C
- 封装主体材料
- METAL
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- POST/STUD MOUNT
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- NPN
- 功耗环境最大值
- 30 W
- 最大功率耗散 (Abs)
- 30 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Other Transistors
- 表面贴装
- NO
- 端子形式
- SOLDER LUG
- 端子位置
- UPPER
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 标称过渡频率 (fT)
- 10 MHz
- VCEsat-Max
- 1.25 V
- Base Number Matches
- 1
