2N2102 - Micro Electronics
- 型号：
- 2N2102
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 2页 / 152K
- 产品描述：
- COMPLEMEMTARY SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- Reach Compliance Code
- unknown
- 风险等级
- 5.75
- 最大集电极电流 (IC)
- 1 A
- 基于收集器的最大容量
- 15 pF
- 集电极-发射极最大电压
- 65 V
- 配置
- SINGLE
- 最小直流电流增益 (hFE)
- 10
- JEDEC-95代码
- TO-39
- JESD-30 代码
- O-MBCY-W3
- JESD-609代码
- e0
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 最高工作温度
- 200 °C
- 最低工作温度
- -65 °C
- 封装主体材料
- METAL
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- CYLINDRICAL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- NPN
- 功耗环境最大值
- 1 W
- 最大功率耗散 (Abs)
- 5 W
- 表面贴装
- NO
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- WIRE
- 端子位置
- BOTTOM
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- AMPLIFIER
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 标称过渡频率 (fT)
- 60 MHz
- VCEsat-Max
- 0.5 V
- Base Number Matches
- 1
