2N1975 - NEW JERSEY SEMI-CONDUCTOR PRODUCTS, INC.
- 型号：
- 2N1975
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 1页 / 181K
- 产品描述：
- N-P-N DOUBLE-DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Contact Manufacturer
- 包装说明
- CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Reach Compliance Code
- compliant
- HTS代码
- 8541.21.00.95
- 风险等级
- 5.4
- 基于收集器的最大容量
- 15 pF
- 集电极-发射极最大电压
- 80 V
- 配置
- SINGLE
- 最小直流电流增益 (hFE)
- 15
- JEDEC-95代码
- TO-39
- JESD-30 代码
- O-MBCY-W3
- JESD-609代码
- e0
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 最高工作温度
- 175 °C
- 封装主体材料
- METAL
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- CYLINDRICAL
- 极性/信道类型
- NPN
- 最大功率耗散 (Abs)
- 0.8 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Other Transistors
- 表面贴装
- NO
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- WIRE
- 端子位置
- BOTTOM
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 标称过渡频率 (fT)
- 40 MHz
- VCEsat-Max
- 1.2 V
- Base Number Matches
- 1
