2N1617 - NEW JERSEY SEMI-CONDUCTOR PRODUCTS, INC.
- 型号：
- 2N1617
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 1页 / 112K
- 产品描述：
- HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR
- 参数详情
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- API TECHNOLOGIES CORP
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.43
- Is Samacsys
- N
- 最大集电极电流 (IC)
- 7.5 A
- 集电极-发射极最大电压
- 70 V
- 配置
- SINGLE
- 最小直流电流增益 (hFE)
- 20
- JEDEC-95代码
- TO-61
- JESD-30 代码
- O-MUPM-D3
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 最高工作温度
- 200 °C
- 封装主体材料
- METAL
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- POST/STUD MOUNT
- 极性/信道类型
- NPN
- 功耗环境最大值
- 85 W
- 最大功率耗散 (Abs)
- 85 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Other Transistors
- 表面贴装
- NO
- 端子形式
- SOLDER LUG
- 端子位置
- UPPER
- 晶体管元件材料
- SILICON
- VCEsat-Max
- 1 V
- Base Number Matches
- 1
