2N1560 - NEW JERSEY SEMI-CONDUCTOR PRODUCTS, INC.
- 型号：
- 2N1560
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 1页 / 85K
- 产品描述：
- GE PNP PWER BJT
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Obsolete
- 零件包装代码
- TO-204AA
- 包装说明
- FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
- 针数
- 2
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.91
- 外壳连接
- COLLECTOR
- 最大集电极电流 (IC)
- 15 A
- 集电极-发射极最大电压
- 70 V
- 配置
- SINGLE
- 最小直流电流增益 (hFE)
- 30
- JEDEC-95代码
- TO-3
- JESD-30 代码
- O-MBFM-P2
- JESD-609代码
- e0
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 2
- 最高工作温度
- 110 °C
- 封装主体材料
- METAL
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- FLANGE MOUNT
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- PNP
- 最大功率耗散 (Abs)
- 106 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 参考标准
- MIL-19500/330A
- 子类别
- Other Transistors
- 表面贴装
- NO
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- PIN/PEG
- 端子位置
- BOTTOM
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- GERMANIUM
- 标称过渡频率 (fT)
- 0.005 MHz
- Base Number Matches
- 1
