2DI150Z-120 - FUJI ELECTRIC
- 型号：
- 2DI150Z-120
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
- 文档大小：
- 2页 / 107K
- 产品描述：
- POWER TRANSISTOR MODULE
- 参数详情
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- FUJI ELECTRIC CO LTD
- 包装说明
- FLANGE MOUNT, R-PUFM-X9
- 针数
- 15
- Reach Compliance Code
- unknown
- 风险等级
- 5.8
- Is Samacsys
- N
- 最大集电极电流 (IC)
- 150 A
- 集电极-发射极最大电压
- 1200 V
- 配置
- COMPLEX
- 最小直流电流增益 (hFE)
- 100
- 最大降落时间（tf）
- 2000 ns
- JESD-30 代码
- R-PUFM-X9
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 9
- 最高工作温度
- 150 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- FLANGE MOUNT
- 极性/信道类型
- NPN
- 功耗环境最大值
- 1000 W
- 最大功率耗散 (Abs)
- 1000 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 最大上升时间（tr）
- 3000 ns
- 子类别
- BIP General Purpose Power
- 表面贴装
- NO
- 端子形式
- UNSPECIFIED
- 端子位置
- UPPER
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 最大关闭时间（toff）
- 17000 ns
- 最大开启时间（吨）
- 3000 ns
- VCEsat-Max
- 2.8 V
- Base Number Matches
- 1
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.4KV V(BR)CEO | 150A I(C)
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Power Bipolar Transistor, 150A I(C), 1400V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 9 Pin
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