2DD2656-7 - DIODES INCORPORATED
- 型号：
- 2DD2656-7
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 4页 / 88K
- 产品描述：
- LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR
- 参数详情
- 是否无铅
- 不含铅
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Active
- 包装说明
- SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- 针数
- 3
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 1.74
- 最大集电极电流 (IC)
- 1 A
- 集电极-发射极最大电压
- 30 V
- 配置
- SINGLE
- 最小直流电流增益 (hFE)
- 270
- JESD-30 代码
- R-PDSO-G3
- JESD-609代码
- e3
- 湿度敏感等级
- 1
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 最高工作温度
- 150 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 极性/信道类型
- NPN
- 最大功率耗散 (Abs)
- 0.5 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Other Transistors
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- Matte Tin (Sn)
- 端子形式
- GULL WING
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 40
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 标称过渡频率 (fT)
- 270 MHz
- Base Number Matches
- 1
