2DB1132R-13 - DIODES INCORPORATED
- 型号：
- 2DB1132R-13
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 4页 / 185K
- 产品描述：
- PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Active
- 包装说明
- SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
- Reach Compliance Code
- compliant
- 风险等级
- 5.73
- 其他特性
- HIGH RELIABILITY
- 外壳连接
- COLLECTOR
- 最大集电极电流 (IC)
- 1 A
- 集电极-发射极最大电压
- 32 V
- 配置
- SINGLE
- 最小直流电流增益 (hFE)
- 180
- JESD-30 代码
- R-PSSO-F3
- JESD-609代码
- e3
- 湿度敏感等级
- 1
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 极性/信道类型
- PNP
- 参考标准
- AEC-Q101
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- Matte Tin (Sn)
- 端子形式
- FLAT
- 端子位置
- SINGLE
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 标称过渡频率 (fT)
- 190 MHz
- Base Number Matches
- 1
