2SC5343S

更新时间： 2024-02-20 22:08:23

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GENERAL SMALL SIGNAL AMPLIFIER

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2SC5343S 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.66
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5343S 数据手册

2SC5343S

NPN Silicon Transistor

GENERAL SMALL SIGNALAMPLIFIER

Features

PIN Connection

• Low collector saturation voltage : V_CE=0.25V(Max.)

• Low output capacitance : C_ob=2pF(Typ.)

• Complementary pair with 2SA1980S

Ordering Information

Type No.

Marking

Package Code

SOT-23

DA □ □

2SC5343S

SOT-23

① ②

③

① Device Code ② hFE Rank ③ Year&Week Code

Absolute Maximum Ratings

Ta=25°C

Characteristic

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

150

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C*

350

T_j

150

Storage temperature range

* Package mounted on 99.5% alumina 10×8×0.6mm

T_stg

-55~150

°C

Electrical Characteristics

Ta=25°C

Min. Typ. Max. Unit

Characteristic

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CEO

Test Condition

I_C=100uA, I_E=0

Collector-Base breakdown voltage

Collector-Emitter breakdown voltage

I_C=1mA, I_B=0

I_E=10uA, I_C=0

V_CE=50V, I_B=0

0.6

0.1

700

0.25

μA

Collector cut-off current

I_CBO

V_CB=60V, I_E=0

Emitter cut-off current

DC current gain

I_EBO

V_EB=5V, I_C=0

V_CE=6V, I_C=2mA

I_C=100mA, I_B=10mA

V_CE=10V, I_C=1mA

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

h_FE

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

f_T

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CE=6V, I_C=0.1mA,

f=1KHz, Rg=10KΩ

Noise figure

* : h_FErank / O : 70 ~ 140, Y : 120 ~ 240, G : 200 ~ 400, L : 300 ~ 700

KSD-T5C022-004

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