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2SA1980U

更新时间： 2024-02-14 01:07:17

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4页	275K
描述
General small signal amplifier

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2SA1980U 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.63
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2SA1980U 数据手册

2SA1980U

PNP Silicon Transistor

Description

• General small signal amplifier

PIN Connection

Features

• Low collector saturation voltage :

V_CE(sat)=-0.3V(Max.)

• Low output capacitance : C_ob=4pF(Typ.)

• Complementary pair with 2SC5343U

SOT-323

Package Code

SOT-323

Ordering Information

Type NO.

Marking

C □ □

2SA1980U

① ②

③

①Device Code ②hFE Rank ③Year&Week Code

Absolute maximum ratings

Characteristic

(Ta=25°C)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector current

-50

-5

-150

200

°C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C(J-A)

T_j

150

T_stg

-55~150

°C

Characteristic

Symbol

Typ.

Max

Unit

℃/W

Thermal resistance

Junction-ambient

R_th(J-A)

625.0

Electrical Characteristics

Characteristic

Collector-Base breakdown voltage

Collector-Emitter breakdown voltage

Emitter-Base breakdown voltage

Collector cut-off current

(Ta=25°C)

Min. Typ. Max. Unit

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Test Condition

I_C=-100μA, I_E=0

-50

-5

I_C=-1mA, I_B=0

I_E=-10μA, I_C=0

V_CB=-50V, I_E=0

V_EB=-5V, I_C=0

-0.1

700

-0.3

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

DC current gain

h_FE

V_CE=-6V, I_C=-2mA

Collector-Emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

f_T

I_C=-100mA, I_B=-10mA

V_CE=-10V, I_C=-1mA

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

V_CE=-6V, I_C=-0.1mA

f=1KHz, Rg=10KΩ

Noise figure

*: h_FErank / O : 70~140, Y : 120~240, G : 200~400, L : 300~700

KSD-T5D025-002

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