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2N5401

更新时间： 2024-02-07 02:40:20
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3页 47K
描述
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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2N5401 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.64基于收集器的最大容量：6 pF
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

2N5401 数据手册

 浏览型号2N5401的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N5401的Datasheet PDF文件第3页 
TIGER ELECTRONIC CO.,LTD  
2N5401  
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR  
Description  
The 2N5401 is designed for general purpose applications requiring  
high breakdown voltages.  
Features  
• Complements to NPN Type 2N5551.  
• High Collector-Emitter Breakdown Voltage. VCEO=150V (@IC=1mA)  
Absolute Maximum Ratings  
• Maximum Temperatures  
Storage Temperature.............................................................................................. .-55~+150°C  
Junction Temperature ..................................................................................... +150°C Maximum  
• Maximum Power Dissipation  
Total Power Dissipation (Ta=25°C) ................................................................................ 625 mW  
• Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)  
VCBO Collector to Base Voltage ....................................................................................... 160 V  
VCEO Collector to Emitter Voltage ................................................................................... .150 V  
VEBO Emitter to Base Voltage .............................................................................................. 5 V  
IC Collector Current........................................................................................................ 600 mA  
(Ta=25°C)  
Characteristics  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Min.  
160  
150  
5
-
-
-
-
-
Typ.  
-
-
-
-
-
-
-
Max.  
-
Unit  
V
V
Test Conditions  
IC=100uA, IE=0  
IC=1.0mA, IB=0  
IE=10uA, IC=0  
VCB=120V, IE=0  
-
-
V
50  
50  
0.2  
0.5  
1
1
-
400  
-
300  
6
nA  
nA  
V
V
V
IEBO  
VEB=3V. IC=0  
VCE(sat)1  
VCE(sat)2  
VBE(sat)1  
VBE(sat)2  
hFE1  
IC=10mA, IB=1.0mA  
IC=50mA, IB=5mA  
IC=10mA, IB=1mA  
IC=50mA, IB=5mA  
VCE=5V, IC=1mA  
VCE=5V, IC=10mA  
VCE=5V, IC=50mA  
VCE=10V, IC=10mA, f=100MHz  
VCB=10V, f=1MHz, IE=0  
-
-
-
-
V
>50  
80  
50  
100  
-
hFE2  
hFE3  
fT  
Cob  
160  
-
-
-
MHz  
pF  
Classification of hFE2  
Rank  
A
N
C
Range  
80-200  
100-240  
160-400  
TIGER ELECTRONIC CO.,LTD  
123

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