- 参数详情
- 是否无铅
- 含铅
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Obsolete
- 零件包装代码
- SOIC
- 包装说明
- 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8
- 针数
- 8
- Reach Compliance Code
- not_compliant
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8542.32.00.51
- 风险等级
- 5.9
- 其他特性
- 2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED
- 最大时钟频率 (fCLK)
- 0.1 MHz
- 数据保留时间-最小值
- 200
- 耐久性
- 1000000 Write/Erase Cycles
- I2C控制字节
- 1010XMMR
- JESD-30 代码
- R-PDSO-G8
- JESD-609代码
- e0
- 长度
- 4.9 mm
- 内存密度
- 8192 bit
- 内存集成电路类型
- EEPROM
- 内存宽度
- 8
- 功能数量
- 1
- 端子数量
- 8
- 字数
- 1024 words
- 字数代码
- 1000
- 工作模式
- SYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 85 °C
- 最低工作温度
- -40 °C
- 组织
- 1KX8
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- SOP
- 封装等效代码
- SOP8,.25
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 并行/串行
- SERIAL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 电源
- 5 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 座面最大高度
- 1.75 mm
- 串行总线类型
- I2C
- 最大待机电流
- 0.0001 A
- 子类别
- EEPROMs
- 最大压摆率
- 0.003 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 5.5 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 4.5 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 5 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- INDUSTRIAL
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- GULL WING
- 端子节距
- 1.27 mm
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 宽度
- 3.9 mm
- 最长写入周期时间 (tWC)
- 10 ms
- 写保护
- HARDWARE
- Base Number Matches
- 1
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