23K640T-E/ST - MICROCHIP
- 型号：
- 23K640T-E/ST
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- MICROCHIP [ MICROCHIP ]
- 应用标签：
- 静态存储器
- 文档大小：
- 26页 / 346K
- 产品描述：
- 64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM
- 参数详情
- 是否无铅
- 不含铅
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Active
- 零件包装代码
- SOIC
- 包装说明
- TSSOP, TSSOP8,.25
- 针数
- 8
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8542.32.00.51
- 风险等级
- 1.12
- 最长访问时间
- 25 ns
- 最大时钟频率 (fCLK)
- 20 MHz
- I/O 类型
- SEPARATE
- JESD-30 代码
- R-PDSO-G8
- JESD-609代码
- e3
- 长度
- 4.4 mm
- 内存密度
- 65536 bit
- 内存集成电路类型
- STANDARD SRAM
- 内存宽度
- 8
- 湿度敏感等级
- 1
- 功能数量
- 1
- 端口数量
- 1, (3 LINE)
- 端子数量
- 8
- 字数
- 8192 words
- 字数代码
- 8000
- 工作模式
- SYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 85 °C
- 最低工作温度
- -40 °C
- 组织
- 8KX8
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- TSSOP
- 封装等效代码
- TSSOP8,.25
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
- 并行/串行
- SERIAL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 电源
- 3/3.3 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 座面最大高度
- 1.2 mm
- 最大待机电流
- 0.000004 A
- 最小待机电流
- 2.7 V
- 子类别
- SRAMs
- 最大压摆率
- 0.01 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 3.6 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 2.7 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 3 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- INDUSTRIAL
- 端子面层
- Matte Tin (Sn) - annealed
- 端子形式
- GULL WING
- 端子节距
- 0.65 mm
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 40
- 宽度
- 3 mm
- Base Number Matches
- 1
