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1SS83

更新时间： 2024-02-04 00:57:01

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描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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1SS83 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.54
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.1 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1SS83 数据手册

1SS83

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

High Voltage Switching Diode

Max. 0.5

Features

Min. 27.5

Max. 3.9

Min. 27.5

Max. 1.9

• High reverse voltage (V_R= 250 V)

• High reliability with glass seal

Black

Cathode Band

Black

Part No.

Black

"ST" Brand

XXX

Glass Case DO-35

Dimensions in mm

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

V_RM

V_R

Value

300

250

200

625

Unit

Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

Average Forward Current

Peak Forward Current

I_O

I_FM

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (at t = 1 s)

Power Dissipation

I_FSM

P_tot

T_J

400

175

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

- 65 to + 175

Electrical Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

Typ.

Max.

Unit

Forward Voltage

at I_F= 100 mA

V_F

Reverse Current

at V_R= 250 V

at V_R= 300 V

I_R

0.2

µA

100

Total Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

C_T

t_rr

1.5

Reverse Recovery Time

at I_F= I_R= 30 mA, I_rr= 3 mA, R_L= 100 Ω

100

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 20/06/2007

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1SS83-E	RENESAS	暂无描述	获取价格
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