1P1G125QDCKRQ1
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1P1G125QDCKRQ1 - TEXAS INSTRUMENTS
型号:
1P1G125QDCKRQ1
品牌Logo:
品牌名称:
TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
应用标签:
逻辑集成电路光电二极管输出元件驱动
文档大小:
8页 / 102K
产品描述:
SINGLE BUS BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT
  • 参数详情
Brand Name
Texas Instruments
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
IHS 制造商
TEXAS INSTRUMENTS INC
零件包装代码
SOIC
包装说明
SC-70, 5 PIN
针数
5
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.39.00.01
Factory Lead Time
1 week
风险等级
0.78
Is Samacsys
N
控制类型
ENABLE LOW
计数方向
UNIDIRECTIONAL
系列
LVC/LCX/Z
JESD-30 代码
R-PDSO-G5
JESD-609代码
e4
长度
2 mm
负载电容(CL)
50 pF
逻辑集成电路类型
BUS DRIVER
最大I(ol)
0.032 A
湿度敏感等级
1
位数
1
功能数量
1
端口数量
2
端子数量
5
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-40 °C
输出特性
3-STATE
输出极性
TRUE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSSOP
封装等效代码
TSSOP5/6,.08
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法
TR
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
3.3 V
最大电源电流(ICC)
0.01 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup
5.1 ns
传播延迟(tpd)
5.1 ns
认证状态
Not Qualified
筛选级别
AEC-Q100
座面最大高度
1.1 mm
子类别
Bus Driver/Transceivers
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
1.65 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
AUTOMOTIVE
端子面层
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.65 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
翻译
N/A
宽度
1.25 mm
Base Number Matches
1

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