1N5550USE3 - Microsemi
- 型号：
- 1N5550USE3
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- MICROSEMI [ Microsemi ]
- 文档大小：
- 5页 / 197K
- 产品描述：
- Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5B, SQ-MELF, B PACKAGE-2
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- MICROSEMI CORP
- 包装说明
- O-LELF-R2
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8541.10.00.80
- 风险等级
- 5.6
- 其他特性
- HIGH RELIABILITY
- 应用
- POWER
- 外壳连接
- ISOLATED
- 配置
- SINGLE
- 二极管元件材料
- SILICON
- 二极管类型
- RECTIFIER DIODE
- 最大正向电压 (VF)
- 1.2 V
- JESD-30 代码
- O-LELF-R2
- JESD-609代码
- e3
- 最大非重复峰值正向电流
- 100 A
- 元件数量
- 1
- 相数
- 1
- 端子数量
- 2
- 最高工作温度
- 175 °C
- 最低工作温度
- -65 °C
- 最大输出电流
- 3 A
- 封装主体材料
- GLASS
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- LONG FORM
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 最大重复峰值反向电压
- 200 V
- 最大反向电流
- 1 µA
- 最大反向恢复时间
- 2 µs
- 表面贴装
- YES
- 技术
- AVALANCHE
- 端子面层
- MATTE TIN
- 端子形式
- WRAP AROUND
- 端子位置
- END
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 30
- Base Number Matches
- 1
