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1N459AE3

更新时间: 2024-02-07 09:28:24
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 125K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM)

1N459AE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.6配置:SINGLE
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-609代码:e3元件数量:1
最高工作温度:175 °C最大输出电流:0.15 A
最大重复峰值反向电压:200 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)

1N459AE3 数据手册

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