1N4454

更新时间： 2024-01-01 17:57:40

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美台 - DIODES		二极管开关
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1页	52K
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SILICON SWITCHING DIODE

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1N4454 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.25
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-213AA
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

1N4454 数据手册

1N4454

SILICON SWITCHING DIODE

Features

High Reliability

High Conductance

For General Purpose Switching Applications

Available in Surface Mount Version

(LL4454)

Mechanical Data

DO-35

Min

25.40

Case: DO-35, Plastic

Dim

Max

Leads: Solderable per MIL-STD-202,

Method 208

Marking: Type Number

Polarity: Cathode Band

Weight: 0.13 grams (approx.)

4.00

0.60

2.00

All Dimensions in mm

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Maximum Ratings

Characteristic

Symbol

1N4454

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_RRM

V_RWM

V_R

I_FM

I_O

Forward Continuous Current (Note 1)

300

150

Average Rectified Output Current (Note 1)

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t £ 1.0s

@ t = 1.0ms

1.0

2.0

I_FSM

P_d

Power Dissipation (Note 1)

400

300

K/W

°C

R_qJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

T_j, T_STG

-65 to +175

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Electrical Characteristics

Characteristic

Maximum Forward Voltage Drop

Maximum Peak Reverse Current

Junction Capacitance

Symbol

V_FM

I_RM

Min

Typ

Max

1.0

100

Unit

Test Condition

I_F= 10mA

V_R= 50V

V_R= 0V, f = 1.0MHz

C_j

4.0

I_F= I_R= 10mA,

I_rr= 0.1 x I_R, R_L= 100W

t_rr

Reverse Recovery Time

4.0

Note:

1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature.

DS12016 Rev. F-2

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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