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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | 其他特性： | LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C |
| 最小击穿电压： | 250 V | 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V | JESD-30 代码： | X-XUPF-D4 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 100 A | 元件数量： | 4 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 160 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 10 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | UNSPECIFIED | 封装形式： | PRESS FIT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向电流： | 2000 µA | 子类别： | Bridge Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N4436FS | MICROSEMI | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-4 |
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| 1N4436FS | NJSEMI | Diode Rectifier Bridge Single 200V 10A |
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| 1N4436FT | MICROSEMI | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-4 |
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| 1N4436FT | NJSEMI | Diode Rectifier Bridge Single 200V 10A |
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| 1N4436S | MICROSEMI | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-4 |
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| 1N4436S | NJSEMI | Diode Rectifier Bridge Single 200V 10A |
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