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1N4112

更新时间： 2024-02-22 16:04:28

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3页	212K
描述
SILICON PLANAR LOW NOISE ZENER DIODES

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1N4112 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-213AA
包装说明：	O-LELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.12
Is Samacsys：	N	其他特性：	METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	100 Ω	JEDEC-95代码：	DO-213AA
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	18 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	0.25 mA	Base Number Matches：	1

1N4112 数据手册

1N4099…1N4135

SILICON PLANAR LOW NOISE ZENER DIODES

FEATURES

• Low noise

Max. 0.5

• Low reverse leakage

Min. 27.5

Max. 3.9

Min. 27.5

Max. 1.9

Black

Cathode Band

Black

Part No.

Black

"ST" Brand

XXX

Glass Case DO-35

Dimensions in mm

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

P_tot

Value

500 ¹⁾

200

Unit

Power Dissipation

Junction Temperature

T_j

Storage Temperature Range

T_S

- 65 to + 200

¹⁾Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case.

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

V_F

Max.

1.1

Unit

Forward Voltage

at I_F= 200 mA

¹⁾Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case.

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 20/06/2007

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