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1B4B41

更新时间: 2024-02-21 01:39:08
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东芝 - TOSHIBA 二极管
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1页 54K
描述
DIODE 1 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, Bridge Rectifier Diode

1B4B41 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.88
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.2 V
JESD-30 代码:R-PSIP-T4JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:55 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向电流:0.00001 µA
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1B4B41 数据手册

  

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