1B4B1 - EIC DISCRETE SEMICONDUCTORS
- 型号：
- 1B4B1
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 2页 / 33K
- 产品描述：
- SILICON BRIDGE RECTIFIERS
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Active
- 包装说明
- O-PBCY-W4
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8541.10.00.80
- 风险等级
- 5.81
- Is Samacsys
- N
- 配置
- BRIDGE, 4 ELEMENTS
- 二极管元件材料
- SILICON
- 二极管类型
- BRIDGE RECTIFIER DIODE
- 最大正向电压 (VF)
- 1.2 V
- JESD-30 代码
- O-PBCY-W4
- JESD-609代码
- e0
- 最大非重复峰值正向电流
- 55 A
- 元件数量
- 4
- 相数
- 1
- 端子数量
- 4
- 最高工作温度
- 150 °C
- 最低工作温度
- -40 °C
- 最大输出电流
- 1.5 A
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- CYLINDRICAL
- 认证状态
- Not Qualified
- 最大重复峰值反向电压
- 100 V
- 最大反向电流
- 0.0004 µA
- 子类别
- Bridge Rectifier Diodes
- 表面贴装
- NO
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- WIRE
- 端子位置
- BOTTOM
- Base Number Matches
- 1
