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1N4148

更新时间: 2024-02-25 07:08:37
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固锝 - GOOD-ARK 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 253K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

1N4148 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.76
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.715 V最大非重复峰值正向电流:2 A
元件数量:1最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.15 A最大重复峰值反向电压:75 V
最大反向恢复时间:0.004 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YESBase Number Matches:1

1N4148 数据手册

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1N4148  
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE  
Features  
Silicon Epitaxial Planar Diodes  
fast switching diode.  
This diode is also available in MiniMELF case with the type  
designation LL4148.  
DIMENSIONS  
inches  
mm  
DIM  
Note  
Min.  
Max.  
0.154  
0.075  
0.020  
-
Min.  
Max.  
3.9  
1.9  
0.52  
-
A
B
C
D
-
-
-
-
-
-
1.083  
27.50  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25  
)
Symbols  
VR  
Values  
75  
Units  
Reverse Voltage  
Volts  
Volts  
Peak reverse voltage  
VRM  
100  
Rectified current (Average)  
Half wave rectification with Resist. Load  
at Tamb=25 and f 50Hz  
1)  
IO  
150  
mA  
Surge forward current at t<1s and T=25  
IFSM  
Ptot  
Tj  
500  
mA  
j
1)  
Power dissipation at Tamb=25  
Junction Temperature  
500  
mW  
200  
Storage temperature range  
TS  
-65 to +200  
Note:  
(1) Valid provided that leads at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature  
1

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