12P10L-TN3-R - Unisonic Technologies
- 型号：
- 12P10L-TN3-R
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 7页 / 256K
- 产品描述：
- 100V P-CHANNEL MOSFET
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Active
- 零件包装代码
- TO-252
- 包装说明
- SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- 针数
- 4
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.61
- 雪崩能效等级（Eas）
- 370 mJ
- 外壳连接
- DRAIN
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 100 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 9.4 A
- 最大漏极电流 (ID)
- 9.4 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.29 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JEDEC-95代码
- TO-252
- JESD-30 代码
- R-PSSO-G2
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 2
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- P-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 50 W
- 最大脉冲漏极电流 (IDM)
- 37.6 A
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Other Transistors
- 表面贴装
- YES
- 端子形式
- GULL WING
- 端子位置
- SINGLE
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
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