是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.66 | 配置: | SINGLE |
最大直流栅极触发电流: | 120 mA | JEDEC-95代码: | TO-209AC |
JESD-30 代码: | O-MUPM-H3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 140 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 172 A | 断态重复峰值电压: | 1200 V |
重复峰值反向电压: | 1200 V | 表面贴装: | NO |
端子形式: | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 触发设备类型: | SCR |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
111RKI100S90PBF | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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111RKI120 | VISHAY | Phase Control Thyristors (Stud Version), 110 A |
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111RKI120 | INFINEON | PHASE CONTROL THYRISTORS |
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111RKI120M | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 110000mA I(T), 1200V V(DRM) |
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111RKI120PBF | VISHAY | Phase Control Thyristors (Stud Version), 110 A |
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111RKI120S90 | INFINEON | PHASE CONTROL THYRISTORS Stud Version |
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