搜索“1N5930” :总计:20 个Datasheet相关器件
1N5930AE3/TR13
MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1.5 W;反向电流(Ir):1 µA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;
1N5930AP/TR12
MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1.5 W;反向电流(Ir):1 µA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;
1N5930AP/TR8
MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1.5 W;反向电流(Ir):1 µA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;
1N5930APE3/TR12
MICROCHIP
二极管-齐纳16V1.5W±10%通孔DO-204AL(DO-41)
1N5930APE3/TR8
MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1.5 W;反向电流(Ir):1 µA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;
1N5930BE3/TR13
MICROCHIP
二极管-齐纳16V1.5W±5%通孔DO-204AL(DO-41)
1N5930BP/TR12
MICROCHIP
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1.5 W;反向电流(Ir):1 µA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;
1N5930BP/TR8
MICROCHIP
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1.5 W;反向电流(Ir):1 µA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;
1N5930BPE3/TR12
MICROCHIP
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1.5 W;反向电流(Ir):1 µA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;
1N5930BPE3/TR8
MICROCHIP
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1.5 W;反向电流(Ir):1 µA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;
1N5930CE3/TR13
MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1.5 W;反向电流(Ir):1 µA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;
1N5930CP/TR12
MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1.5 W;反向电流(Ir):1 µA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;
1N5930CP/TR8
MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1.5 W;反向电流(Ir):1 µA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;
1N5930CPE3/TR12
MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1.5 W;反向电流(Ir):1 µA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;
1N5930CPE3/TR8
MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1.5 W;反向电流(Ir):1 µA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;
1N5930E3/TR13
MICROCHIP
二极管-齐纳16V1.5W±20%通孔DO-204AL(DO-41)
1N5930P/TR12
MICROCHIP
二极管-齐纳16V1.5W±20%通孔DO-204AL(DO-41)
1N5930P/TR8
MICROCHIP
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):1.5 W;反向电流(Ir):1 µA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;
1N5930PE3/TR12
MICROCHIP
二极管-齐纳16V1.5W±20%通孔DO-204AL(DO-41)
1N5930PE3/TR8
MICROCHIP
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):1.5 W;反向电流(Ir):1 µA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;