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N-CHANNEL POWER MOSFET
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漏源电压(Vdss):650V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):1A(Tc);栅极-源极阈值电压:4V @ 250uA;漏源导通电阻:11Ω@10V;种类:N-Channel;Vgs(th)(V):±30
栅栅极
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1.2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET
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